题目

(单选题) 下面关于 DRAM 存储器描述错误的是( )。(本题 2.0分)A. DRAM 存储器需要对存储内容定时刷新B. DRAM 存储器具有单位空间存储容量大的特点C. DRAM 存储器属于非易失的存储器D. DRAM 存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

(单选题) 下面关于 DRAM 存储器描述错误的是( )。(本题 2.0分)

A. DRAM 存储器需要对存储内容定时刷新

B. DRAM 存储器具有单位空间存储容量大的特点

C. DRAM 存储器属于非易失的存储器

D. DRAM 存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

题目解答

答案

C. DRAM 存储器属于非易失的存储器

解析

本题考查对DRAM存储器特点的理解。解题思路是依次分析每个选项所描述的内容是否符合DRAM存储器的实际特性。

  • 选项A：
    • DRAM（动态随机存取存储器）是利用电容存储电荷来保存信息的。由于电容会存在漏电现象，随着时间的推移，电容上存储的电荷会逐渐泄漏，导致存储的信息丢失。
    • 为了保证信息的正确性，需要定期对电容进行充电，也就是对存储内容定时刷新。所以选项A的描述是正确的。
  • 选项B：
    • DRAM的存储单元结构相对简单，通常只需要一个晶体管和一个电容来存储一位信息。
    • 这种简单的结构使得DRAM在单位空间内可以集成更多的存储单元，从而具有单位空间存储容量大的特点。所以选项B的描述是正确的。
  • 选项C：
    • 非易失性存储器是指在断电后仍然能够保存存储信息的存储器，例如ROM（只读存储器）、闪存等。
    • 而DRAM是易失性存储器，一旦断电，电容上的电荷会迅速消失，存储的信息也会随之丢失。所以选项C的描述是错误的。
  • 选项D：
    • DRAM的存储原理就是依靠电容的电荷存储效应来记忆信息。当电容充电时，表示存储“1”；当电容放电时，表示存储“0”。所以选项D的描述是正确的。